Spintronics:Πώς ένα λεπτό μονωτικό άτομο βοηθά στις περιστροφές μεταφοράς
Σε μια πρόσφατη μελέτη που δημοσιεύθηκε σε υλικά φύσης, ερευνητές του Πανεπιστημίου της Καλιφόρνιας, του Μπέρκλεϊ και του Εθνικού Εργαστηρίου Lawrence Berkeley απέδειξαν πώς ένα λεπτό στρώμα εξαγωνικού νιτριδίου βορίου (H-BN) μπορεί να βελτιώσει τη μεταφορά περιστροφής σε ένα δισδιάστατο υλικό ημιαγωγού που είναι γνωστό ως Tungsten Diselenide (WSE2).
Όταν ένα ηλεκτρόνιο κινείται μέσα από ένα υλικό, μεταφέρει όχι μόνο ένα ηλεκτρικό φορτίο αλλά και μια μαγνητική στιγμή, γνωστή ως περιστροφή του. Στο Spintronics, ο στόχος είναι να αξιοποιηθούν και να χειριστούν αυτές τις περιστροφές για την επεξεργασία και την αποθήκευση πληροφοριών. Ωστόσο, οι περιστροφές μπορούν εύκολα να χάσουν τη συνοχή και τις κατευθύνσεις τους λόγω αλληλεπιδράσεων με το περιβάλλον.
Οι ερευνητές διαπίστωσαν ότι η τοποθέτηση ενός ατομικά λεπτού στρώματος H-BN στην κορυφή του WSE2 οδήγησε σε σημαντική βελτίωση των ιδιοτήτων μεταφοράς περιστροφής. Το στρώμα H-BN ενήργησε ως προστατευτικό φράγμα, προστατεύοντας τις περιστροφές στο WSE2 από αλληλεπιδράσεις με ελαττώματα και ακαθαρσίες στην επιφάνεια. Αυτό επέτρεψε στις περιστροφές να ταξιδεύουν μεγαλύτερες αποστάσεις χωρίς να χάσουν τη συνοχή τους.
Η ερευνητική ομάδα απέδωσε την ενισχυμένη μεταφορά περιστροφής στη διεπαφή υψηλής ποιότητας μεταξύ H-BN και WSE2. Η ατομικά ομαλή στρώση H-BN ελαχιστοποιημένη σκέδαση και παρείχε ένα καθαρό περιβάλλον για τη μεταφορά περιστροφής στο WSE2.
Τα ευρήματα υποδεικνύουν ότι το H-BN και άλλοι δισδιάστατοι μονωτές θα μπορούσαν να διαδραματίσουν κρίσιμο ρόλο στις μελλοντικές συσκευές Spintronic, επιτρέποντας την αποτελεσματική μεταφορά και χειραγώγηση. Αυτό θα μπορούσε να οδηγήσει σε σημαντικές εξελίξεις στις τεχνολογίες αποθήκευσης δεδομένων και μνήμης που βασίζονται σε περιστροφές, ανοίγοντας το δρόμο για ταχύτερους και πιο ενεργειακά αποδοτικούς υπολογιστές.
Η μελέτη υπογραμμίζει επίσης τη σημασία του σχεδιασμού της μηχανικής υλικών και της διεπαφής στην Spintronics, όπου ο έλεγχος των ιδιοτήτων των υλικών σε ατομικό επίπεδο μπορεί να οδηγήσει σε ανακαλύψεις στην απόδοση της συσκευής.